Puuhh, gute Frage. Die 10°C sind ja auf die Chemie Faustregel zurückzuführen bei der eine chem. Reaktion bei einer Erhöhung um 10°C doppelt so schnell verläuft (und sich demnach das Dielektrikum der MOSFETs auch doppelt so schnell zersetzt).
Ich denke mal bei der Spannung wird das linearer verlaufen, also doppelte Spannung=doppelte Reaktionsgeschwindigkeit.
Wenn ich mir allerdings die Tabellen zu Überspannung bei Elektrolyse auf Wikipedia anschaue, kann ich auch total daneben liegen. Dort wird die Spannung nur um einige Millivolt erhöht und die Stromdichte verzehnfacht sich.
Es gibt aber auch immer eine bestimmt Mindestspannung bei der die Reaktion nicht mehr schleichend, sondern heftig verläuft, von dieser sollte man sich fernhalten, sonst fängts wahrscheinlich an zu brennen.
Bei den verwendeten Dielektrikums wird die aber in Dimensionen liegen, die sowieso kein PC Netzteil erreicht. (Einige Folienkondensatoren halten ja über 500V aus.)
Demnach kann ich leider nicht sagen ab wann es schädlich für den MOSFET wird. Das ganze ist sehr stark abhängig vom verwendeten Material für den Isolator und der Kat-/Anode bzw. deren Dotierung.
Aber ich denke mal, dass ich Bereich der RAM Spannungen keine nennenswerte Abnutzung auftreten dürfte, da brennt vorher was anderes durch.
Auf RAM Riegeln befinden sich ja auch Flash-Speicher wie der SPD-EEPROM (ich bin total Stolz auf mich, dass ich auswendig weiß was das heißt
).
Ich glaube mal gehört zu haben, dass das Fehlerquellen für defekte RAMs seien können, allerdings sind das wieder Festwertspeicher, die eigentlich gar keine Abnutzung durch Schreib-/Lesevorgänge haben sollten.